买卖IC网 >> 产品目录43226 >> BSZ018NE2LSI MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSZ018NE2LSI

库存数量:9,638
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSZ018NE2LSI PDF下载
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2500pF @ 12V
功率 - 最大 69W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商设备封装 PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装 剪切带 (CT)
其它名称 BSZ018NE2LSICT
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市澳亿芯电子科技有限公司 13760200702 李先生
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-83225692 唐先生
中山市翔美达电子科技有限公司 15502070655 朱小姐
天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪宝宇
深圳市鹏拓发展电子 0755-82773839 马先生 林先生 马小姐
万三科技(深圳)有限公司 18818598465 王俊杰
科创特电子(香港)有限公司 0755-83014603
深圳市芯驰科技有限公司 18665384978 丁皓鹏
深圳市一线半导体有限公司 0755-88608801 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
  • BSZ018NE2LSI 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 3.108 3.108
    10 2.664 26.64
    25 2.39712 59.928
    100 2.17536 217.536
    250 1.95336 488.34
    500 1.686984 843.492
    1,000 1.420608 1420.608
    2,500 1.287432 3218.568