BSZ018NE2LSI datasheet
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BSZ018NE2LSI
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 datasheet 分离式半导体产品
型号:
BSZ018NE2LSI
库存数量:
9,638
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
RoHS:
无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSZ018NE2LSI PDF下载
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 12V
功率 - 最大
69W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSZ018NE2LSICT
相关资料
属性
链接
代理商
BSZ018NE2LSI
BSZ018NE2LSIXT
BSZ019N03LS
BSZ023N04LS
BSZ023N04LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1
供应商
公司名
电话
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
13760200702
李先生
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-83225692
唐先生
中山市翔美达电子科技有限公司
15502070655
朱小姐
天阳诚业科贸有限公司
17862669251
洪宝宇
深圳市鹏拓发展电子
0755-82773839
马先生 林先生 马小姐
万三科技(深圳)有限公司
18818598465
王俊杰
科创特电子(香港)有限公司
0755-83014603
柯
深圳市芯驰科技有限公司
18665384978
丁皓鹏
深圳市一线半导体有限公司
0755-88608801
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
BSZ018NE2LSI 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
3.108
3.108
10
2.664
26.64
25
2.39712
59.928
100
2.17536
217.536
250
1.95336
488.34
500
1.686984
843.492
1,000
1.420608
1420.608
2,500
1.287432
3218.568
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